特許

J-GLOBAL ID：200903030080027178

半導体デバイスとその製造方法

発明者： 逸見 学 ,  森江 隆 ,  細矢 徹夫 ,  秋谷 秀夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004561
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195359
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】シリコン酸化膜の劣化を引き起こさない金属シリサイドを提供し、それを制御ゲートに用いた半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、基板上にシリコン酸化膜を形成し、該シリコン酸化膜上に少なくともタングステン・シリサイド膜を含む導電膜を形成してなる半導体デバイスにおいて、上記タングステン・シリサイド膜がフッ素原子を含有していないことを特徴とする半導体デバイスとすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン酸化膜を形成し、該シリコン酸化膜上に少なくともタングステン・シリサイド膜を含む導電膜を形成してなる半導体デバイスにおいて、上記タングステン・シリサイド膜がフッ素原子を含有していないことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H05H 1/46