特許
J-GLOBAL ID：200903030086030715
半導体装置,その製造方法および薄膜堆積装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045260
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 高性能電極および金属配線を有する半導体装置を製造する。【構成】 半導体装置は半導体基体に形成された機能素子の接続電極としての単結晶Al層23と、半導体基体の単結晶Al電極23を除く部分を覆って形成された絶縁層24と、単結晶Al電極23および絶縁層23上に形成された多結晶Al層25と、多結晶Al層25上に形成されたCu配線26とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基体に形成された機能素子の接続電極としての単結晶Al層と、前記半導体基体の前記単結晶Al電極を除く部分を覆って形成された絶縁層と、前記単結晶Al電極および前記絶縁層上に形成された多結晶Al層と、該多結晶Al層上に形成されたCu配線とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3205
