特許

J-GLOBAL ID：200903030087899138

半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 市川 英樹 ,  辻 亮
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084188
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284281
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子とサブマウントとの接着状態を改善する。【解決手段】 サブマウント表面の半導体レーザ素子を接着する部分のAu層4-3bの厚さを、サブマウント表面のワイヤボンディングする部分のAu層4-3aより薄くする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子裏面のサブマウントとの接着面に最下層にAu層を有する複数の金属よりなるメタライズ層を形成し、サブマウントの表面の半導体レーザ素子との接着面およびサブマウントのワイヤボンディングを行なう面に、最上層にAu層を有する複数の金属層よりなるメタライズ層を形成し、半導体レーザ素子裏面の最下層のAu層とサブマウントの表面の最上層のAu層とを接着する半導体レーザ装置の製造方法において、サブマウント表面の半導体レーザ素子の接着面の最上層のAu層は、これと連続するサブマウント表面のワイヤボンディングを行なう面のAu層より薄く形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52 A ,  H01L 21/60 301 A