特許
J-GLOBAL ID：200903030088334290
炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-144410
公開番号（公開出願番号）：特開平5-330995
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月14日
要約：
【要約】【目的】 昇華再結晶法により炭化珪素を製造するときに、自然核発生で成長してくる多結晶をなくすことで製造工程の簡便化を図る。【構成】 黒鉛製るつぼ1の開口部の径R1、中央部の径R2及び原料粉末4の充填される底部の径R3の関係をR2>R1≧R3とし、かつ、るつぼ開口部のすり合わせ部の長さL1及びるつぼ蓋2のすり合わせ部の長さL2の関係をL1>L2からなるるつぼを用いて炭化珪素を製造することによって、多結晶領域を含まない均質性の高い炭化珪素単結晶を提供する。
請求項（抜粋）：
黒鉛製るつぼの上端開口部の内径が前記るつぼの中央部の内径より小さく、原料炭化珪素粉末の充填される前記るつぼ底部の内径が該るつぼの上端開口部の内径より小さく、更に前記るつぼの上端開口部を塞ぐための黒鉛製のるつぼ蓋が、るつぼ本体の開口部とのすり合わせ部の長さが、前記るつぼ本体のすり合わせ部の長さよりも長くなるように構成されてなる黒鉛製のるつぼを用い、このるつぼの底部に充填された原料炭化珪素粉末を、不活性ガス雰囲気中減圧下で、前記原料炭化珪素粉末が昇華しうる温度に加熱し、炭化珪素単結晶基板を前記の温度より実質的に低い温度に維持しながら、炭化珪素単結晶基板上に単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/02
, H01L 21/203
