特許

J-GLOBAL ID：200903030089159409

マンガン酸化物材料における電流及び電場誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子

発明者： 朝光 敦 ,  富岡 泰秀 ,  桑原 英樹 ,  十倉 好紀
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構 ,  三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-060632
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255481
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】エレクトロニクス関連分野への応用が可能なマンガン酸化物材料における電流及び電場誘起相転移を利用したスイッチング素子及びメモりー素子を提供する。【解決手段】MnO3 を母体とするマンガン酸化物材料における物性制御を磁場以外の外部摂動によって制御する。具体的には、外部磁場の代わりに電流あるいは電場によって制御する。

請求項（抜粋）：

MnO3 を母体とするマンガン酸化物材料において、電流、あるいは電場によって誘起される絶縁体-金属転移と、それにともなう反強磁性-強磁性転移を用いることを特徴とするスイッチング素子。

IPC (3件)：

G11C 13/00 ,  C01G 45/00 ,  C30B 29/22

FI (3件)：

G11C 13/00 Z ,  C01G 45/00 ,  C30B 29/22 Z