特許

J-GLOBAL ID：200903030090902379

半導体素子実装基板

発明者： 東 昌彦 ,  徳満 良照 ,  米倉 秀人 ,  浜田 紀彰 ,  古久保 洋二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276201
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114424
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板と半導体素子との熱膨張差が大きい場合においても、半導体素子を配線基板上に、強固に且つ長期にわたり安定して固着させる。【解決手段】セラミック絶縁基板1と、その少なくとも表面に被着形成されたメタライズ配線層2と、絶縁基板1の表面に、エポキシ樹脂および無機質フィラーを含有するヤング率が5GPa以上の接着層7を介して固定され、メタライズ配線層2とワイヤなどの金属線によって電気的に接続された半導体素子Bとを具備する半導体素子実装基板Aにおいて、半導体素子Bの接着層7との接着面側に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂の中から選ばれる少なくとも1種を主成分とする接着層7よりも低いヤング率が5GPa未満の低ヤング率層11を1〜30μmの厚みで設けることにより、セラミック絶縁基板1と半導体素子B間の熱応力を緩和することができる。

請求項（抜粋）：

セラミック絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも表面に被着形成されたメタライズ配線層と、前記絶縁基板の表面に接着層を介して固定され、前記メタライズ配線層と金属線によって電気的に接続されてなる半導体素子とを具備してなり、前記半導体素子の前記接着層側に前記接着層よりも低いヤング率を有する低ヤング率層を設けたことを特徴とする半導体素子実装基板。