特許

J-GLOBAL ID：200903030091134367

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 山本 貴史
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170028
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368010
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】非晶質シリコン堆積後の脱水素工程において、酸化雰囲気中でアニールすることにより、表面に薄い酸化膜を形成し、汚染物質がシリコン膜に付着するのを防止する。【解決手段】ガラス基板11上に非晶質シリコン膜21を形成し、非晶質シリコン膜中の水素を離脱させ、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜13に加工し、島状多結晶シリコン膜13a,13b,13cを形成し、ゲート電極15を形成し、前記島状多結晶シリコン膜に不純物を注入し、前記不純物を活性化する薄膜トランジスタの製造方法において、前記ガラス基板11上に、非晶質シリコン膜21を堆積した後、前記非晶質シリコン膜21中に含有している水素を離脱させる際に、酸化雰囲気中でアニールして酸化シリコン膜22を形成する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に非晶質シリコン膜を形成し、非晶質シリコン膜中の水素を離脱させ、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に加工し、島状多結晶シリコン膜を形成し、ゲート電極を形成し、前記島状多結晶シリコン膜に不純物を注入し、前記不純物を活性化する薄膜トランジスタの製造方法において、前記ガラス基板上に、非晶質シリコン膜を堆積した後、前記非晶質シリコン膜中に含有している水素を離脱させる際に、酸化雰囲気中でアニールして酸化シリコン膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (36件)：

5F052AA02 ,  5F052AA12 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24