特許

J-GLOBAL ID：200903030091556997

磁気抵抗素子、該磁気抵抗素子を用いたメモリ素子及び該メモリ素子の記録再生方法

発明者： 西村 直樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078472
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280640
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 メモリ素子などに用いられる磁気抵抗素子において、一方の磁性層からの静磁界により他方の磁性層の反転磁界がオフセットすることを防止し、反転磁界が増加することを防止する。【解決手段】膜面垂直方向に磁化した第1磁性層1と、絶縁層N2と、膜面垂直方向に磁化した第2磁性層2とが順に積層されてなり、第2磁性層2の保磁力が第1磁性層1の保磁力より高く、第1磁性層1と第2磁性層2の磁化の相対角度により第1磁性層1と第2磁性層2間に絶縁層N2を介して電流を流した際の抵抗値が異なる磁気抵抗素子において、互いに反平行に磁化した垂直磁化膜である第3磁性層21及び第4磁性層22により第2磁性層2を構成する。

請求項（抜粋）：

膜面垂直方向に磁化した第1磁性層と、非磁性層と、膜面垂直方向に磁化した第2磁性層とが順に積層されてなり、前記第2磁性層の保磁力が前記第1磁性層の保磁力より高く、前記第1磁性層と前記第2磁性層の磁化の相対角度により前記第1磁性層と前記第2磁性層間に前記非磁性層を介して電流を流した際の抵抗値が異なる磁気抵抗素子において、前記第2磁性層は、互いに反平行に磁化した垂直磁化膜である第3磁性層及び第4磁性層からなり、前記第3の磁性層及び前記第4の磁性層のうち前記第3の磁性層が前記非磁性層側に配置していることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA08 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA15 ,  5F083JA60