特許

J-GLOBAL ID：200903030094060674

電界効果トランジスタおよび化合物半導体集積回路

発明者： 加賀谷 修 ,  大石 喜久 ,  松本 秀俊 ,  ▲高▼澤 浩幸 ,  北村 圭一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246585
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106525
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【構成】化合物半導体集積回路において、電界効果トランジスタのソースおよびドレインに高濃度n型GaAs層6を設け、その上部にアンドープGaAs層7,第二のゲート電極10を設けた。【効果】ダイオードの寄生抵抗を低減し、かつダイオード面積を縮小でき、超高速動作に最適な電界効果トランジスタおよび集積回路を提供することができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板表面に形成された能動層と、前記能動層に対し電界を印加できる位置に形成した第一のゲート電極と、該能動層の両側に形成した高濃度不純物層と、前記高濃度不純物層の上部に形成したソース電極およびドレイン電極から構成される電界効果トランジスタにおいて、前記高濃度不純物層の上部にアンドープ半導体層と第二のゲート電極を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232

FI (2件)：

H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F