特許

J-GLOBAL ID：200903030112340060

LEDアレイの製造方法

発明者： 荻原 光彦 ,  清水 孝篤 ,  中村 幸夫 ,  谷中 真澄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262817
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122781
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 ピンホールの少ない絶縁膜を具えた優れたLEDアレイを製造できる方法を提供する。【構成】 N形半導体基板10上にアルミナ膜14を形成した後、アルミナ膜に第一開口部15を形成する。第一開口部形成済みのN形半導体基板に亜鉛を選択的に拡散させ、P形拡散領域12を形成した後、第一開口部形成済みのN形半導体基板上に第二層部分としての第二絶縁膜19を形成する。このとき第二絶縁膜を選択的にエッチングして第一開口部と対応する第二開口部21を形成する。その後、第二開口部形成済みの第二絶縁膜上に配線層20を形成する。

請求項（抜粋）：

N形半導体基板と、該N形半導体基板に設けられた複数のP形拡散領域と、該P形拡散領域を露出する開口部を有する絶縁膜と、前記P形拡散領域の一部に一端が接続された配線層であって前記絶縁膜上に及んでいる配線層とを具えるLEDアレイを製造するに当たり、(a)N形半導体基板上に前記絶縁膜の第一層部分としてアルミナ膜(Al2 O3 膜)を形成する工程と、(b)前記アルミナ膜に第一開口部を形成する工程と、(c)前記開口部形成済の前記N形半導体基板に亜鉛(Zn)を選択的に拡散させる工程と、(d)前記第一開口部形成済のN形半導体基板上に前記絶縁膜の第二層部分としての第二絶縁膜を形成し、該第二絶縁膜を選択的にエッチングして該第二絶縁膜に前記第一開口部と対応する第二開口部を形成する工程と(ただし、該第二絶縁膜及びそのエッチング手段は該第二絶縁膜を前記アルミナ膜に対し選択的にエッチングする材料および手段とする。)、(e)前記第二開口部形成済みの第二絶縁膜上に前記配線層を形成する工程とを含むことを特徴とするLEDアレイの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-139480
  
• 特開平4-239184
  
• 特開昭63-056967
  
• 特開昭51-140559