特許

J-GLOBAL ID：200903030117317848

半導体レーザ装置

発明者： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-034869
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233880
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 モード・フィールド変換器を備え、低しきい値で、かつ発光効率が高く、しかも選択成長法を適用して作製できる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ装置40は、レーザ素子42と、レーザ素子から出射したレーザ光のスポットサイズを変換するモード・フィールド変換器44とを共通基板11上に隣接して集積した半導体レーザ装置である。モード・フィールド変換器が、モード・フィールド変換器下部の共通基板11内、又は共通基板上に形成されたモード・フィールド変換器の積層膜内に電流ブロッキング構造46を備えている。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子とモード・フィールド変換器とを共通基板上に隣接して集積した半導体レーザ装置において、モード・フィールド変換器が、モード・フィールド変換器下部の共通基板内、又は共通基板上に形成されたモード・フィールド変換器の積層膜内に電流ブロッキング構造を備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。