特許

J-GLOBAL ID：200903030117823786

化合物半導体の微細堆積体の形成方法

発明者： ▲吉▼田 清輝 ,  入川 理徳
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115909
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306840
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Gaの微細堆積体の形成方法と、GaNとAlGaNとの、GaNとInGaNとの、GaNとGaAsNとの、GaNとGaPNとの夫々の微細複合積層体の形成方法とを提供する。【解決手段】 GaAs等の基板上に、SiO2 等の薄膜を形成し、高加速電圧の液体金属イオン源(FIB)を使用して、SiO2 等の薄膜に微細開口を形成した後、低加速電圧のFIBを使用して上記の微細開口内のみにGaの微細堆積体の形成方法と、この形成工程完了後に、有機金属分子線エピタキシー法を使用し、照射原料には、Ga源、窒素源、Al源、ヒ素源、リン源を使用して、Gaの微細堆積体の上のみに、GaNとAlGaNとの、GaNとInGaNとの、GaNとGaAsNとの、GaNとGaPNとの夫々の微細複合積層体を形成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板またはSi基板またはSiC基板またはサファイヤ基板の上に、SiO2 等の薄膜を形成し、高加速電圧をもって液体金属(Ga)イオン源を使用してGaを前記SiO2 等の薄膜に照射して該SiO2 等の薄膜に微細な開口を形成し、低加速電圧をもって液体金属(Ga)イオン源を使用してGaを前記微細な開口内に照射して該微細な開口内にGaを堆積することを特徴とするGaの微細堆積体の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/203 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/40 502 ,  H01J 27/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/288 ,  H01L 33/00

FI (7件)：

H01L 21/203 M ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/40 502 K ,  H01J 27/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/288 M ,  H01L 33/00 C