ペルチェ素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： , ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-117361
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318455
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】ペルチェ素子の効率を改善するため熱電変換基板のみで構成されたペルチェ素子は機械的強度に乏しく、放熱器との熱的接合時の面接触に際してペルチェ素子側の平坦度が問題となる。また、金属製の熱伝達板で挟持したペルチェ素子は熱伝達板の腐食など問題があった。全体的な問題としては熱電変換基板を構成している半導体の強度が低く破損しやすく尚且つ湿度等による腐食などの問題もあり、熱伝達板の隙間をシリコーンなどで塞ぎ防湿する必要もあった。【解決手段】本発明は、P型半導体素子とN型半導体素子とを金属電極を介して交互に複数個π型直列接合して構成された熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を形成した熱電変換部と、熱電変換部の2面の熱伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達部を構成した。

請求項（抜粋）：

P型半導体素子とN型半導体素子とを金属電極を介して交互に複数個π型直列接合して構成された熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を形成した熱電変換部と、熱電変換部の2面の熱伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達部を構成したことを特徴とするペルチェ素子。

IPC (3件)：

H01L 35/34 , H01L 35/30 , H01L 35/32

FI (3件)：

H01L 35/34 , H01L 35/30 , H01L 35/32 A

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