特許
J-GLOBAL ID：200903030126751585
ドープしたSOGを使用するバイポーラエミッタ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 善章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280278
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204413
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】埋め込みの代わりに拡散によってドープしたSOGを使用し、ホウ素、イオウのほかいろいろのドーパントを用いて深度の浅い低抵抗バイポーラエミッタを形成する方法を与える。【構成】ドープしたSOG層を予定のベース領域の上方にスピン掛けする。 SOG層は部分的に除去するように確定し、除去し、コレクタおよびエミッタのコンタクト領域を露出させる。 SOG層は高密度化され、ドーパントがベース中に追い出され、エミッタを形成する。
請求項（抜粋）：
コレクタと、該コレクタに隣接したベースと、該ベースに隣接した拡散エミッタ領域とを含む半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01L 27/06
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 27/06 321 B
, H01L 29/72
