特許
J-GLOBAL ID：200903030128432207
発光ダイオードアレイおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245653
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077411
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 GaAs層での光吸収およびリーク電流が軽減された発光ダイオードアレイを提供する。【解決手段】 N型Al0.4Ga0.6As下部クラッド層12、 N型Al0.15Ga0.85As活性層13、 P型Al0.4Ga0.6As上部クラッド層14、P型Al0.4Ga0.6As電流拡散層15からなるダブルヘテロ構造の層構成からなる。各発光ダイオードは分離溝によって素子分離され、最上層の各P型GaAsオーミック層3を各発光ダイオード領域の中央部に設けるとともに、P型GaAsオーミック層3の4辺と素子分離エッジとの距離L3を均等としている。この構成により、GaAs層での光吸収が軽減され且つ横方向のリーク電流が軽減される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、順に、少なくとも、半導体下部クラッド層、半導体活性層、半導体上部クラッド層、半導体電流拡散層、およびGaAsオーミック層が積層された層構成を有し、少なくとも前記半導体活性層を越える分離溝によって、各発光ダイオードの領域に素子分離され、かつ各発光ダイオードの個別電極が前記各GaAsオーミック層に接続されている、発光ダイオードアレイにおいて、前記各発光ダイオードの前記各GaAsオーミック層が、各発光ダイオードの各領域の周辺部において除去されて当該各領域の中央部に設けられている、ことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 E
5F041AA03
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F041CA93
, 5F041CB25
, 5F041FF13
