特許
J-GLOBAL ID:200903030131088894

半導体レーザアレイ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-004770
公開番号(公開出願番号):特開平10-200199
出願日: 1997年01月14日
公開日(公表日): 1998年07月31日
要約:
【要約】【課題】 半導体レーザ素子の温度上昇を抑制した高出力半導体レーザアレイ装置を提供する。【解決手段】 複数の半導体レーザ素子を1次元方向に配置した複数の1次元半導体レーザアレイ1と複数のダイヤモンド基板2が交互に積層されている。基板2の両方の面上には、レーザアレイ1と電気的に接続された電極パッド3が設けられ、さらに、基板2には、一方の面から他方の面に貫通して導電体4領域が形成されている。導電体4は電極パッド3とワイア5により接続されている。最上層のレーザアレイ1と、最下層の電極パッド3には、Cu板6、8を介してリード板7、8が固定され、外部駆動電圧に接続されている。これにより、複数のレーザアレイ1が直列に接続される。レーザアレイ1で発生した熱は、基板2に伝えられて、効果的に放熱されるため、安定した発振が可能である。
請求項(抜粋):
複数の半導体レーザ素子のレーザ射出点を同一側面上で1次元方向に配列させた板状の1次元半導体レーザアレイと、一方の面から他方の面まで貫通する1又は2以上の導電体領域を有するダイヤモンド基板とを複数個交互に積層させてレーザ射出点を2次元に配列させ、前記導電体を介してすべての前記半導体レーザ素子を電気的に接続していることを特徴とする半導体レーザアレイ装置。

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