中赤外光用半導体デバイスの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西村竜平 , 佐藤明子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-098850
公開番号（公開出願番号）：特開2008-254966
出願日： 2007年04月04日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】良質でなおかつ既存のものに比べて高性能な半導体デバイスを、安価に製造することができる、中赤外光領域で作動する半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】結晶基板1上にバッファ層2を積層して形成した基本積層体3上に、特定のエッチング液により選択的に除去可能な薄厚の犠牲層4を積層する犠牲層積層ステップと、その犠牲層上にデバイス層5を形成した後、犠牲層4のみをエッチング除去して前記デバイス層5を前記基本積層体3から分離するデバイス層分離ステップと、前記デバイス層分離ステップにおいてデバイス層5とともに分離された前記基本積層体3に対し、前記犠牲層積層ステップ及びデバイス生成ステップを再度施す再利用ステップと、を有するようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶基板を利用してデバイス層を形成し、そのデバイス層から中赤外光領域で作動する半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法であって、結晶基板上にバッファ層を積層して形成した基本積層体上に、特定のエッチング液により選択的に除去可能な薄厚の犠牲層を積層する犠牲層積層ステップと、その犠牲層上にデバイス層を形成するデバイス層形成ステップと、前記デバイス層形成ステップ後、犠牲層のみをエッチング除去して前記デバイス層を前記基本積層体から分離するデバイス層分離ステップと、前記デバイス層分離ステップにおいてデバイス層とともに分離された前記基本積層体に対し、前記犠牲層積層ステップ、デバイス形成ステップ及びデバイス層分離ステップを再度施す再利用ステップと、を有する半導体デバイス製造方法。

IPC (6件)：

C30B 25/18 , H01S 5/323 , H01L 21/205 , H01L 21/306 , C30B 29/40 , C23C 16/30

FI (6件)：

C30B25/18 , H01S5/323 , H01L21/205 , H01L21/306 B , C30B29/40 502H , C23C16/30

Fターム (40件)：

4G077AA03 , 4G077BE41 , 4G077BE46 , 4G077BE47 , 4G077DB08 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4G077TC14 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K030AA11 , 4K030BA35 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030LA14 , 5F043AA05 , 5F043BB10 , 5F043DD30 , 5F043GG01 , 5F045AA04 , 5F045AB13 , 5F045AB18 , 5F045AF04 , 5F045BB08 , 5F045BB12 , 5F045CA13 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA57 , 5F045HA14 , 5F173AH28 , 5F173AP05

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