窒化珪素質配線基板およびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045366
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244121
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】低抵抗の内部メタライズ配線層を具備するとともに、絶縁基板の表面平滑性に優れた窒化珪素質配線基板を提供する。【解決手段】窒化珪素を主成分とするセラミックグリーンシートの表面に、平均粒径が0.8〜12μmのWC粉末を導体成分とする導体ペーストを印刷塗布した後、1650〜1800°Cの常圧下で、窒素含有雰囲気中で焼成して、相対密度が90%以上の窒化珪素質セラミックスからなる絶縁基板1と、タングステンシリサイド(Wx Siy )のX線回折主ピーク強度をI1 、前記タングステンの(110)面のX線回折ピーク強度をI2 とした時、I2 /I1 で表されるピーク強度比が0.1以下の内部メタライズ配線層2aを具備し、絶縁基板1表面が表面粗さ(Rmax)が10μm以下の焼き肌面によって形成された配線基板を得る。

請求項（抜粋）：

窒化珪素を主成分とする相対密度が90%以上のセラミックスからなる絶縁基板と、内部メタライズ配線層とを具備する配線基板であって、前記内部メタライズ配線層が、タングステン(W)と、タングステンカーバイド(WC)及び/またはα-タングステンカーバイド(W2 C)とを含み、タングステンシリサイド(Wx Siy )のX線回折主ピーク強度をI1 、前記タングステンの(110)面のX線回折ピーク強度をI2 とした時、I2 /I1 で表されるピーク強度比が0.1以下であり、且つ前記絶縁基板表面が表面粗さ(Rmax)が10μm以下の焼き肌面によって形成されてなることを特徴とする窒化珪素質配線基板。

IPC (4件)：

H05K 3/46 , C04B 35/584 , C04B 35/64 , H05K 1/03 610

FI (4件)：

H05K 3/46 H , H05K 1/03 610 D , C04B 35/58 102 C , C04B 35/64 G

Fターム (25件)：

4G001BA03 , 4G001BA08 , 4G001BA09 , 4G001BA11 , 4G001BA32 , 4G001BA81 , 4G001BB03 , 4G001BB06 , 4G001BB08 , 4G001BB09 , 4G001BB11 , 4G001BB32 , 4G001BC12 , 4G001BC13 , 4G001BC31 , 4G001BC54 , 4G001BD03 , 4G001BD14 , 4G001BD23 , 4G001BE33 , 4G001BE35 , 5E346CC16 , 5E346CC36 , 5E346DD13 , 5E346GG19

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