特許

J-GLOBAL ID：200903030146125427

薄膜フォトトランジスタ及びそれを用いたアクティブマトリクス基板並びにそれを用いた画像読み取り装置。

発明者： 和泉 良弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-202960
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047719
出願日： 2002年07月11日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】製造プロセスが複雑にならず、配線レイアウトも複雑にならないで、光感度(Ip/Id)の向上を図ることができる薄膜フォトトランジスタを提供する。【解決手段】ゲート電極13上に、ゲート絶縁膜14と半導体層15とが順次形成され、該半導体層15上に、端部同士が所定間隔で離間したソース電極17及びドレイン電極18が形成される。上記ソース電極17及びドレイン電極18は、上記ゲート電極13と平面的に重畳する重畳領域17a、18aを有し、該重量領域17a、18aの少なくとも一部の領域が透光性を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極上に、ゲート絶縁膜と感光性半導体膜とが順次形成され、該感光性半導体膜上に、端部同士が所定間隔で離間したソース電極及びドレイン電極が形成された薄膜フォトトランジスタにおいて、 上記ソース電極及び/またはドレイン電極は、上記ゲート電極と平面的に重畳する重畳領域を有し、該重量領域の少なくとも一部の領域が透光性を有することを特徴とする薄膜フォトトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L31/10

FI (5件)：

H01L27/14 C ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616T ,  H01L31/10 A

Fターム (49件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118CB06 ,  4M118CB07 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118FB25 ,  4M118GA03 ,  5F049MA14 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ12 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN73