特許
J-GLOBAL ID：200903030148664813

半導体装置

発明者：
森 重範

森 重範 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 佐藤 強 ,  小川 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-351183
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165100
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 電流検出用の抵抗が形成されたICチップを有する半導体装置を得る。【解決手段】 ICチップ22において、シャント抵抗23を、その電流通過方向に沿った辺がMOSFET2の一列に並んだパッド5(パッド列)に直交する向きとなるようにMOSFET2に隣接して形成する。シャント抵抗23と制御回路3とを繋ぐ引き出し用の配線27を、シャント抵抗23から第1のパッド29に至る第1の配線27aと、第2のパッド30から制御回路3に至る第2の配線27bとから構成する。組み立て工程において、パッド29と30を共通の端子11に接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
同一の半導体基板にパワー素子、当該パワー素子の主端子に接続される電流検出用の抵抗および前記パワー素子を制御する制御回路が形成された半導体チップを備え、 前記パワー素子の主端子のパッドは、当該パワー素子の素子形成領域の辺部に沿って列状に形成されており、 前記抵抗は、その電流通過方向に沿った辺が前記パワー素子のパッド列にほぼ直交する向きとなるように前記パワー素子に隣接して形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L27/04 P ,  H01L27/04 E ,  H01L27/04 A
Fターム (10件)：
5F038AR07 ,  5F038AR13 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038BG05 ,  5F038CA02 ,  5F038CA08 ,  5F038CA10 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
  • トランジスタの構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-278731   出願人：富士通テン株式会社
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-232739   出願人：株式会社日立製作所

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