特許
J-GLOBAL ID：200903030151370120
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-290715
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135237
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 信頼性が高く且つ超高周波領域で高出力特性が安定に得られる化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 半絶縁性半導体基板11上に、ストライプ状に配置された多数の単位セル12からなるセル領域13と、セル領域に平行に配置されると共に櫛の歯状に形成されたベース配線電極16及びコレクタ配線電極15と、コレクタ配線電極を挟んでセル領域に平行に配置された放熱用電極17と、放熱用電極とセル領域の各単位セルのエミッタ領域に絶縁膜の開口を介してブリッジ状に接続された厚い金メッキ層20と、半導体基板の一辺の近傍に配置されたボンディングパッド16bと、半導体基板の反対辺の近傍に配置されたボンディングパッド15bとを備え、厚い金メッキ層20はベース配線電極16上を被覆することなく、その他の部分を略全面的に被覆した。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板上に、ストライプ状に配置されたヘテロ接合バイポーラトランジスタの多数の単位セルからなるセル領域と、該セル領域に平行に配置されると共に櫛の歯状に前記各単位セルのベース領域及びコレクタ領域に接続するベース配線電極及びコレクタ配線電極と、該コレクタ配線電極を挟んで前記セル領域に平行に配置された放熱用電極と、該放熱用電極と前記セル領域の各単位セルのエミッタ領域に絶縁膜の開口を介してブリッジ状に接続された厚い金メッキ層と、前記半導体基板の一辺の近傍に配置された前記ベース配線電極に接続するボンディングパッドと、前記半導体基板の反対辺の近傍に配置された前記コレクタ配線電極に接続するボンディングパッドとを備え、前記厚い金メッキ層は前記ベース配線電極上を被覆することなく、その他の部分を略全面的に被覆したことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
, H01L 29/80
H01L 29/72
, H01L 29/205
, H01L 29/80
