アライメントパターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139169
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335543
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】不純物層パターンに対して直接位置合わせを行うことができるアライメントパターンの形成方法を提供する。【構成】基板11上に形成した第1マスクパターン12上からイオン注入を行うことによって機能領域11aに第1不純物層パターン13を形成する際、アライメント領域11bにアライメントパターン形成用の第2不純物層パターン14を形成する。第1マスクパターン12を除去した後、アライメント領域11b上に開口部を有する第2マスクパターン15を基板11上に形成する。第2マスクパターン15上から第2不純物層パターン14を選択的にエッチング除去してアライメントパターン16を形成する。これによって、直接第1不純物層パターン13の形成位置を示すアライメントパターン16を形成する。

請求項（抜粋）：

第1マスクパターンを用いて基板の表面層に不純物層パターンを形成する際、当該基板の表面層にアライメントパターン形成用の不純物層パターンを形成する第1工程と、前記アライメントパターン形成用の不純物層パターンを露出しその他の不純物層パターンを覆う形状の第2マスクパターンを前記基板上に形成する第2工程と、前記第2マスクパターン上から前記不純物層パターンを選択的にエッチング除去してアライメントパターンを形成する第3工程と、を備えたことを特徴とするアライメントパターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , C23F 1/00 , C23F 1/12 , C23F 1/40 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01L 21/30 502 M , C23F 1/00 Z , C23F 1/12 , C23F 1/40 , H01L 21/265 W

前のページに戻る