特許

J-GLOBAL ID：200903030151968726

電界効果トランジスタの製造方法

発明者： 西辻 充
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035227
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236546
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】 特性にバラツキがなく、チャネル抵抗の低い電界効果トランジスタを製造する方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板10の上にチャンネル層11を形成した後、該チャンネル層11の上にWSiよりなる高融点金属層を形成し、その後、該高融点金属層に対してマスクパターン13を用いてSF6 ガスによりエッチングを行なってゲート電極12を形成する。次に、高濃度オーミック接触層14をエピタキシャル成長すると、ゲート電極12の近傍には多結晶又はアモルファスよりなる層15が形成される。高濃度オーミック接触層14に対してエッチングを行なうと、多結晶又はアモルファスよりなる層15は結合力が弱いので容易に除去される。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板の上にチャンネル層を形成する第1の工程と、前記チャンネル層の上に高融点金属よりなるゲート電極を形成する第2の工程と、前記チャンネル層の上に前記ゲート電極と間隔をおいて高濃度オーミック接触層を形成する第3の工程とを備えていることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-015863
  
• 特開昭60-107867
  
• 特開平1-198079