特許
J-GLOBAL ID：200903030164541810
連続引上法による結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-325640
公開番号（公開出願番号）：特開平8-183688
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 装置の小型化、単純構造化、省電力化とともに、不純物分布の改善を図ることができるCZ法による単結晶の連続製造方法及び装置を得る。【構成】 るつぼ容器3内に保持された加熱溶融体2の上面2-1より引上法により結晶1を成長させる。その際、成長結晶1と前記るつぼ3の内壁との間の前記加熱溶融体2の自由表面近傍に、結晶1を取り囲むことなく障壁囲い8を配置し、前記障壁囲い8内に原料の粒状結晶7を連続供給し、これを局所加熱手段7により溶融せしめて、前記加熱溶融体2内に供給する。障壁囲い外の前記加熱溶融体上面2-1より引上法により結晶1を成長させる。
請求項（抜粋）：
るつぼ容器内に保持された加熱溶融体上面より引上法により結晶を成長させるに当り、成長結晶と前記るつぼ内壁の間の前記加熱溶融体の自由表面近傍に、結晶を取り囲むことなく障壁囲いを配置し、前記障壁囲い内に原料の粒状結晶を連続供給し、これを局所加熱手段により溶融せしめ、前記障壁囲い外の前記加熱溶融体上面より引上法により結晶成長させることを特徴とする結晶の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
