特許
J-GLOBAL ID：200903030165708344
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252625
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104215
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】エッチング加工において、測定のみの手段では所望の加工深さの終了が特定できない場合に、より高い精度で所望の加工深さにエッチングを終わらせることを目的とする。【構成】エッチング加工時において、エッチングチャンバ15内の電極16上に置かれる被加工物に、レ-ザ発振器11から加工面積より広く光を入射し、その干渉された反射光を受光器13にて測定する。それにより加工深さおよびエッチングレ-トを算出し、それらの加工深さとエッチングレ-トの関係により所望の加工量に達するまでの加工時間を、CPU18にて算出し加工を制御する機能を有することを特徴とするエッチング装置である。
請求項（抜粋）：
被エッチング物を最終加工深さd(d≧2μm)までドライエッチングする半導体装置の製造方法において、被エッチング物に光を照射し、反射光の干渉による強度変化を測定して0<d≦2の範囲の加工深さに対するエッチングレ-トを算出し、次いで、該エッチングレ-トにより最終加工深さdに対するエッチング時間を算出して上記被エッチング物を最終加工深さdまでドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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