特許

J-GLOBAL ID：200903030166597058

書き替え可否判別機能付き不揮発性メモリ回路

発明者： 石川 禎典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033786
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234391
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 EEPROM等の不揮発性メモリの劣化による書き替え不能状態を検出してデータの破壊を未然に防止する。【構成】 書換可能型不揮発性メモリ回路内に、同性能の不揮発性メモリ素子によるメモリ判定回路を設け、これに上記不揮発性メモリのデータ消去/書き替え毎にデータ消去、書き込みを行い、その誤りを検出して書換不可信号を出力し、同時に消去要求信号と書き込み要求信号の受付けを停止して直前のデータを保存する。また、メモリ判定回路を不揮発性メモリ素子によるカウンタ回路とし、その計数値が不揮発性メモリの最大許容書き替え回数に達したときに上記書換不可信号を出力する。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ回路において、上記不揮発性メモリとは別個の書き替え可否判別用の不揮発性メモリ素子と、上記不揮発性メモリ内デ-タの書き替え、消去動作に同期して上記書き替え可否判別用不揮発性メモリ素子のデ-タを消去して所定のデ-タを書き込む書き込み消去制御回路と、上記書き替え可否判別用不揮発性メモリ素子に書き込むデ-タと書き込後のデ-タを照合して少なくとも両デ-タの不一致信号を出力する書き替え可否判別回路とを備えたことを特徴とする書き換え可否判別機能付き不揮発性メモリ回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-134897
  
• 特開平2-270195
  
• 特開平3-091852
  
• 特開平1-245496