特許

J-GLOBAL ID：200903030169247740

強誘電体薄膜、電子デバイスおよび強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240607
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063991
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【構成】 Si等の単結晶基板上に形成され、六方晶YMnO3 の結晶構造を有し、主成分が希土類金属元素(ScおよびYを含む)、MnおよびOであり、基板表面と平行にc面配向した強誘電体薄膜と、その製造方法と、それを用いた電子デバイス。【効果】 特にMFIS構造およびMFMIS構造を有するゲート型不揮発性メモリー用途に好適なものとなる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、六方晶YMnO3 の結晶構造を有し、主成分が希土類金属元素(ScおよびYを含む)、MnおよびOであり、基板表面と平行にc面配向した強誘電体薄膜。

IPC (9件)：

H01L 21/283 ,  C30B 29/22 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/283 C ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371