特許
J-GLOBAL ID：200903030170941499
フオトセンサの作製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355045
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041530
出願日： 1984年02月10日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 S/Nが高く且つ均一性に優れた薄膜半導体を提供する。【構成】 非晶質シリコンからなる半導体層上にオーミックコンタクト層を介して電極が形成されている薄膜半導体の作製法において、非晶質シリコンからなる半導体層22上にオーミックコンタクト層23を形成し、その上に所望の形状の電極25,26を形成し、次いでプラズマエッチング法により露出部分のオーミックコンタクト層を除去し、しかる後に350°C以下の温度で熱処理を施す。21は基板である。
請求項（抜粋）：
光導電層上にオーミックコンタクト層を介して電極が形成されているフォトセンサの作製法において、光導電層上にオーミックコンタクト層を形成し、その上に所望の形状の電極を形成し、次いでプラズマエッチング法により露出部分のオーミックコンタクト層を除去し、しかる後に熱処理を施すことを特徴とする、フォトセンサの作製法。
IPC (3件)：
H01L 31/0248
, G01J 1/02
, H01L 27/14
H01L 31/08 H
, H01L 27/14
