特許

J-GLOBAL ID：200903030171543080

半導体装置

発明者： 國弘 和明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185478
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032051
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 平行伝導によるデバイス特性の劣化を防止し、DXセンタによるデバイス不安定動作を抑制したHJFETを提供すること。【構成】 高純度のノンドープキャリア走行層3と高濃度不純物含有キャリア供給層5'との間にノンドープスペーサ層4'を設ける。スペーサ層4'のキャリアに対する障壁高さをキャリア供給層5'のキャリアに対する障壁高さより大きくする。

請求項（抜粋）：

キャリアが走行する高純度のノンドープのキャリア走行層(3)と、該キャリア走行層にキャリアを供給する高濃度不純物含有キャリア供給層(5') と、該キャリア供給層と前記キャリア走行層との間に設けられたノンドープスペーサ層(4')とを具備し、前記スペーサ層のキャリアに対する障壁高さを前記キャリア供給層のキャリアに対する障壁高さより大きい半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-020669
  
• 特開平1-183164
  
• 特開昭62-219967
  
• 特開昭64-073773