特許
J-GLOBAL ID：200903030172617222
薄膜デバイス用製造装置および薄膜デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278531
公開番号（公開出願番号）：特開2004-115844
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】熱触媒体に影響されないで、もしくはその影響を小さくして安定した成膜を達成し、これによって高品質かつ高信頼性の積層型薄膜デバイスを提供する。【解決手段】被成膜用基板29上にホットワイヤーCVD法により少なくとも2層を順次積層する薄膜デバイス用製造装置において、先の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分に対し、その後の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分を違える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被成膜用基体とガス導入部を備えた反応室に、この反応室内の被成膜基体とガス導入部との間に発熱体を搬送する発熱体搬送部材、ならびに上記反応室に対し、この反応室内の被成膜基体とガス導入部との間に他の発熱体を搬送する他の発熱体搬送部材とを設け、さらに上記発熱体を搬送すべく回動手段を配設して、上記被成膜用基体上にホットワイヤーCVD法により複数のアモルファスシリコン系の薄膜を被着せしめるように成した薄膜デバイス用製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4K030BA30
, 4K030BB13
, 4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA10
, 4K030LA01
, 4K030LA11
, 4K030LA16
, 4K030LA17
