特許
J-GLOBAL ID：200903030177549640
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190376
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104380
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置の積層方向への高集積化を図る。【構成】 インナーリード1の下面に第一の絶縁フィルム2aを設け、その第一の絶縁フィルム2aの下面に第一の半導体チップ3aをボンディングし、一方インナーリード1の上面にも第二の絶縁フィルム2bを設け、その第二の絶縁フィルム2bの上面に第二の半導体チップ3bをボンディングする。
請求項（抜粋）：
実装基板の両面側に、絶縁層を介して複数の半導体チップを積層実装したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
