特許

J-GLOBAL ID：200903030179464634

磁性薄膜のメッキ方法

発明者： 長田 誠一
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-050310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-249894
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 被メッキ面の表面活性の不均一に起因する磁性薄膜の密着力の低下、メッキ浴の温度変化に起因する膜組成の不均一化、及び、メッキ液の劣化を抑制することが可能な磁性薄膜のメッキ方法を提供すること。【解決手段】 基板表面にニッケル/鉄合金からなるシードを形成し、シードの表面を活性化(活性化前処理工程)した後、シード表面を2価の鉄イオンを含む酸化膜で被覆する(表面酸化処理工程)。次に、必要に応じて、基板をメッキ浴温度とほぼ同等の温度に加温する(加温前処理工程)。次に、加温された基板を、ニッケル/鉄合金をメッキするためのメッキ液に所定時間浸漬し、シード表面の酸化膜をエッチング除去する(酸化膜除去工程)。さらに、基板をメッキ液から引き上げることなくそのままメッキ通電を行い、シード表面に軟磁性薄膜を形成する(メッキ工程)。

請求項（抜粋）：

基板上の被メッキ面を活性化する活性化前処理工程と、前記被メッキ面を特定価数の金属イオンを含む酸化膜で被覆する表面酸化処理工程と、前記基板をメッキ液に所定時間浸漬し、前記酸化膜をエッチング除去する酸化膜除去工程と、前記酸化膜が除去された前記被メッキ面に、電気メッキにより磁性薄膜を形成するメッキ工程とを備えた磁性薄膜のメッキ方法。

IPC (4件)：

C25D 5/34 ,  C25D 7/00 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/14

FI (4件)：

C25D 5/34 ,  C25D 7/00 K ,  G11B 5/31 C ,  H01F 10/14

Fターム (19件)：

4K024AA15 ,  4K024AB08 ,  4K024BB14 ,  4K024CA01 ,  4K024CA04 ,  4K024DA06 ,  4K024DA07 ,  4K024DA10 ,  4K024FA05 ,  4K024GA01 ,  5D033BA03 ,  5D033CA04 ,  5D033DA04 ,  5D033DA31 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049LC01 ,  5E049LC04