荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及び半導体デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-369984
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185477
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】サブフィールドサイズを大きくするとサブフィールド内のボケの均一性およびサブフィールド内の歪みが大きくなるという問題がある。サブフィールド内のボケ均一性が悪いとサブフィールド内のパターンの線幅均一性が悪くなり、また、サブフィールド内の歪みが大きいと各サブフィールドをウエハ上で繋ぎ合わせる繋ぎ合わせ精度やデバイス製造工程における層間の重ね合わせ精度が悪くなり、結果として良好なデバイスを製造することが困難となる。半導体デバイスの高密度化に伴いこれらの問題は顕著となる。【解決手段】感応基板上に転写すべきパターンを複数の小領域に分割して備えたマスクを用いて、各小領域に荷電粒子線を選択的に照射することによって当該小領域の転写像を前記感応基板上に形成する荷電粒子線露光方法において、前記複数の小領域を、少なくとも2つ以上の小領域からなる複数のグループに分け、前記複数のグループを偏向器によって選択し、前記複数のグループ内の小領域の露光を一定のシーケンスで行うことを特徴とする荷電粒子線露光方法。

請求項（抜粋）：

感応基板上に転写すべきパターンを複数の小領域に分割して備えたマスクを用いて、各小領域に荷電粒子線を選択的に照射することによって当該小領域の転写像を前記感応基板上に形成する荷電粒子線露光方法において、前記複数の小領域を、少なくとも2つ以上の小領域からなる複数のグループに分け、前記複数のグループを偏向器によって選択し、前記複数のグループ内の小領域の露光を一定のシーケンスで行うことを特徴とする荷電粒子線露光方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , H01J 37/305

FI (4件)：

G03F 7/20 504 , G03F 7/20 521 , H01J 37/305 B , H01L 21/30 541 J

Fターム (14件)：

2H097BB03 , 2H097CA16 , 2H097GB01 , 2H097JA02 , 2H097LA10 , 5C034BB04 , 5C034BB05 , 5F056AA06 , 5F056AA22 , 5F056CA04 , 5F056CB15 , 5F056CC09 , 5F056CC14 , 5F056FA06

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