特許
J-GLOBAL ID：200903030189521563
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177193
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 長波長の半導体レーザ装置において、しきい値電流の温度特性を向上させる。【解決手段】 n-InxGa1-xAs基板11上に、n-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3Pクラッド層12、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層13、Inx5Ga1-x5As1-y5Py5引張り歪障壁層14、Inx1Ga1-x1As1-y1Py1圧縮歪量子井戸活性層15、Inx5Ga1-x5As1-y5Py5引張り歪障壁層16、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第一光導波層17、p-Inx4Ga1-x4Pエッチング阻止層18、p-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第二光導波層19、p-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3Pクラッド層20、p-InxGa1-xAsコンタクト層21、絶縁膜22を形成する。この絶縁膜22をマスクとし、p-InxGa1-xAsコンタクト層21、p-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3Pクラッド層20を除去する。その後、p-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第二光導波層19を除去して、リッジストライプを形成する。
請求項（抜粋）：
組成比が0<x≦0.3である第一導電型In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As基板上に、少なくとも、第一導電型下部クラッド層、第一導電型あるいはアンドープの下部光導波層、組成比が0≦x5≦x+0.49および0<y5≦1であるIn<SB>x5</SB>Ga<SB>1-x5</SB>As<SB>1-y5</SB>P<SB>y5</SB>からなる引張り歪障壁層、組成比がx<x1≦0.5および0≦y1≦0.1であるIn<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>圧縮歪量子井戸活性層、組成比が0≦x5≦x+0.49および0<y5≦1であるIn<SB>x5</SB>Ga<SB>1-x5</SB>As<SB>1-y5</SB>P<SB>y5</SB>からなる引張り歪障壁層、第二導電型あるいはアンドープの上部第一光導波層、組成比が0≦x4≦1である第二導電型In<SB>x4</SB>Ga<SB>1-x4</SB>Pエッチング阻止層、組成比がx2=x+(0.49±0.01)y2および0<y2≦0.8である第二導電型In<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y2</SB>上部第二光導波層、第二導電型上部クラッド層および組成比が0<x≦0.3である第二導電型In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asコンタクト層がこの順に積層されてなり、前記第二導電型In<SB>x4</SB>Ga<SB>1-x4</SB>Pエッチング阻止層の上面までストライプ状に2つの溝が形成されることにより、該溝の間にリッジ部が形成されてなる屈折率導波機構を備えており、前記活性層の圧縮歪量と合計膜厚の積と、引張り歪量と合計膜厚の積の和の絶対値が0.25nm以下であり、前記各層のうち、前記量子井戸活性層、前記2つの引張り歪障壁層および前記第二導電型In<SB>x4</SB>Ga<SB>1-x4</SB>Pエッチング阻止層以外の層が、前記基板に格子整合する組成を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073BA02
, 5F073BA09
, 5F073CA13
, 5F073CA14
, 5F073CB02
