特許
J-GLOBAL ID：200903030190765433

酸化物薄膜を負極活性物質として使用した二次電池

発明者：
熊谷 直昭

熊谷 直昭 について


出願人/特許権者：
新技術事業団

新技術事業団 について


代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072371
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241707
出願日： 1995年03月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 十分にリチウム化したV,Nb,W,Mo等の金属酸化物薄膜を付与し、負極活性物質として使用することにより、充放電特性に優れた二次電池を得る。【構成】 非水電解質溶液又は固体電解質を含む二次電池において、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成され、予めリチウム化した五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タングステン薄膜又は三酸化モリブデン薄膜を負極活性物質とし、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,LiCoO<SB>2</SB> 薄膜,LiNiO<SB>2</SB> 薄膜,LiMn<SB>2</SB> O<SB>4</SB> 薄膜,Li<SB>x</SB> MnO<SB>4</SB> 薄膜(0.3<x<0.6)又はTiS<SB>2</SB> 薄膜を正極活性物質として組み合わせている。【効果】 より大きい充放電容量で優れたサイクル特性を示し、薄型化及び小型化が可能な二次電池となる。
請求項（抜粋）：
非水電解質溶液又は固体電解質を含み、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成され、予め十分にリチウム化した五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,三酸化タングステン薄膜又は三酸化モリブデン薄膜を負極活性物質とし、金属基板,シリコン基板又は高分子基板上に形成された五酸化バナジウム薄膜,五酸化ニオブ薄膜,LiCoO<SB>2</SB> 薄膜,LiNiO<SB>2</SB> 薄膜,LiMn<SB>2</SB> O<SB>4</SB> 薄膜,Li<SB>x</SB> MnO<SB>4</SB> 薄膜(0.3<x<0.6)又はTiS<SB>2</SB>薄膜を正極活性物質としている二次電池。
IPC (4件)：
H01M 4/02 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/66 ,  H01M 10/40
FI (6件)：
H01M 4/02 D ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/66 A ,  H01M 10/40 Z ,  H01M 10/40 B
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 非水又は固体電解質二次電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312563   出願人：新技術事業団
  • 非水二次電池の充放電方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-263696   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • 非水二次電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-178090   出願人：富士写真フイルム株式会社
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