特許

J-GLOBAL ID：200903030194065908

高集積半導体装置及びそれを用いた半導体モジュール

発明者： 岡田 亘右 ,  遠藤 恒雄 ,  土橋 芳男 ,  山田 一二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152489
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343602
出願日： 1992年06月11日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 積層半導体装置のプリント基板の層間の半田ブリッジ現象を防止する。【構成】 高集積半導体装置は、メモリ半導体素子を搭載したプリント基板1を複数個所定間隔で平行に積層し、前記プリント基1板の表面と裏面はスルーホールを備えた複数のスルーホールランド4により電気的に接続するとともに、前記スルーホールを介してリードピン8で層間を接続するように構成される。そして、互いに隣接する前記リードピン間の所定の位置に半田レジストが塗布される。【効果】 簡素な構成で、プリント基板の層間及びリードピン間での半田量のコントロールが可能となり半田ブリッジ現象の発生を防止することができ、半導体装置の小型化及び高集積化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

メモリ半導体素子を搭載したプリント基板を複数個所定間隔で平行に積層し、前記プリント基板の表面と裏面はスルーホールを備えた複数のスルーホールランドにより電気的に接続するとともに、前記スルーホールを介してリードピンで層間を接続するように構成した高集積半導体装置及びそれを用いた半導体モジュールにおいて、互いに隣接する前記リードピン間の所定の位置に半田レジストを塗布したことを特徴とする高集積半導体装置。