特許

J-GLOBAL ID：200903030194174910

帯電防止膜の形成方法

発明者： 上山 健一 ,  野本 克則
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 羽鳥 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295984
公開番号（公開出願番号）：特開平6-145384
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月24日
要約：

【要約】【目的】 湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成方法を提供すること。【構成】 本発明は、π共役系を形成し得る複素環化構造を少なくとも1以上含む重合性部分、或いは複素環化構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群(I)と親水基に化学結合する結合基(II)とを有する化合物(III)を、親水基を有する基板面に上記結合基(II)を介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形成方法である。

請求項（抜粋）：

π共役系を形成し得る複素環化構造を少なくとも1以上含む重合性部分、或いは複素環化構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群(I)と親水基に化学結合する結合基(II)とを有する化合物(III)を、親水基を有する基板面に上記結合基(II)を介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形成方法。

IPC (5件)：

C08J 7/04 ,  B32B 7/02 104 ,  B41M 5/26 ,  C09K 3/16 102 ,  G11B 7/24 536