半導体素子の表面保護膜およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-005651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190533
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の表面保護膜に関するもので、その表面保護膜によって生じるメタル配線の断線などの問題点を除去することを目的とするものである。【構成】前記目的のために本発明は、表面保護膜の最下層を従来のPSG膜に換えて有機系物質(実施例ではポリイミド)膜3にしたものである。かつ、その製造方法において、その保護膜3,4をパターニングするためにレジストを使わずに、上層の保護膜5をパターニングしてそれをマスクにするようにして、製造工程をも短縮するようにしたものである。

請求項（抜粋）：