特許

J-GLOBAL ID：200903030199450346

半導体装置の製造方法

発明者： 折田 賢児 ,  石田 昌宏 ,  油利 正昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-395312
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291703
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 高性能で信頼性の高い半導体装置を製造できる製造方法を提供する。【解決手段】 III族窒化物系化合物半導体からなる第1の半導体層12を、窒素原子を含む気体中で加熱する工程と、その後、第1の半導体層12上に、III族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体層13を結晶成長させる工程とを含む。

請求項（抜粋）：

(i)III族窒化物系化合物半導体からなる第1の半導体層を、窒素原子を含む気体中で加熱する工程と、(ii)前記(i)の工程ののち、前記第1の半導体層上に、III族窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体層を結晶成長させる工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/306 B

Fターム (26件)：

5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA25 ,  5F004DB19 ,  5F004EA10 ,  5F004EA34 ,  5F004FA07 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F043AA16 ,  5F043BB06 ,  5F043DD15 ,  5F073AA21 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28