特許

J-GLOBAL ID：200903030204352080

電子管

発明者： 須山 本比呂 ,  木村 末則 ,  斉藤 哲哉 ,  森田 哲家
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-128723
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312145
出願日： 1996年05月23日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、長期に亙って安定した動作を可能にする電子管を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明による電子管において、アノード電極60の開口部61の開口面積は、半導体素子40の電子入射面44aの入射面積より小さく形成され、半導体素子40は、導電型がp型の電子入射面44aと導電型がn型の基板41とを有すると共に、n型の基板41を電気的にステム31に接続し、アノード電極60とステム31とを同電位にし、半導体素子40に逆バイアスを印加する構成である。

請求項（抜粋）：

第1の開口と前記第1の開口と反対側に位置する第2の開口とを有すると共に絶縁性材料からなるケースと、前記ケースの前記第1の開口側に設けられて、入射された光に対応して電子を放出する光電面をもった入力面板と、前記ケースの前記第2の開口側に設けられて導電性材料からなるステムと、前記ステムの真空側に位置して、前記光電面より放出した電子が照射される電子入射面を有する半導体素子と、前記半導体素子と前記光電面との間で前記半導体素子の近くに位置して、前記半導体素子に対峙させた開口部をもったアノード電極とを備えた電子管において、前記アノード電極の前記開口部の開口面積は、前記半導体素子の前記電子入射面の入射面積より小さく形成され、前記半導体素子は、導電型がp型の前記電子入射面と導電型がn型の基板とを有すると共に、前記n型の前記基板を電気的に前記ステムに接続し、前記アノード電極と前記ステムとを同電位にし、前記半導体素子に逆バイアスを印加することを特徴とする電子管。