特許
J-GLOBAL ID：200903030204359301
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185001
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051209
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 チャネル領域の非晶質硅素薄膜16の膜厚を充分確保しつつ、低抵抗半導体層16a とソース電極14、ドレイン電極15との電気的接続を確実にする。ゲート電極18と低抵抗半導体層16a との層間絶縁性を確実する。【構成】 ソース電極14、ドレイン電極15、非晶質硅素薄膜16、低抵抗半導体層16a 、ゲート絶縁膜17、ゲート電極18を絶縁基板11上に順次形成する。低抵抗半導体層に16a は、ゲート絶縁膜17で覆われない領域を形成する。低抵抗半導体層16a の表面のゲート絶縁膜17に覆われない領域に不導体層19を形成する。
請求項（抜粋）：
少なくともソース電極およびドレイン電極、非晶質硅素薄膜、不純物イオンを含むイオンの注入により前記非晶質硅素薄膜の一部を低抵抗化する低抵抗半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極が絶縁基板上に順次形成され、前記低抵抗半導体層に前記ゲート絶縁膜で覆われない領域を有する薄膜トランジスタであって、前記低抵抗半導体層の表面の前記ゲート絶縁膜に覆われない領域に不導体層を形成したことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
