特許
J-GLOBAL ID：200903030205068319
半導体加工装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035066
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252096
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】高密度の中性粒子線を発生し、高速かつ低損傷の半導体加工装置を実現する。【構成】高いイオン化効率を有するプラズマ発生手段1とプラズマ発生手段1からイオンを引き出す手段と、イオンの通過経路中に高周波電界を印加する電極4,5を設置し、高周波電界を印加した電極により形成した低エネルギ電子と結合させる事で高い確率でイオンを中性化する。
請求項（抜粋）：
真空排気手段と気体導入手段を有する気相中に、プラズマ形成手段と前記プラズマ形成手段からイオンを引き出す手段と前記イオンを引き出す手段から引き出されたイオンビームの経路に低エネルギ電子を形成する手段を有し、前記イオンを引き出す手段から引き出されたイオンビームと前記低エネルギ電子との結合または気相中の中性粒子との電荷交換で高速の中性粒子線を形成し、前記中性粒子線により半導体装置の加工を行う事を特徴とする半導体加工装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H05H 3/02
