特許

J-GLOBAL ID：200903030210040929

マイクロヴァイア形成のために大容積密度物質の除去を必要とするモジュールを効率的に製造するための逐次レーザ処理の方法

発明者： ノディン,デビット ビー.
出願人/特許権者： ダブリュ.エル.ゴア アンド アソシエイツ,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-521469
公開番号（公開出願番号）：特表2000-505248
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】積層基板において該基板の上部表面から該基板の底部表面に向かって、第1のレーザおよび該第1のレーザのレーザ集束スポットによる第1のトレパニング動作を用いて、ブラインドヴァイアをレーザ穿孔することにより該ブラインドヴァイアを形成する方法である。そして、前記ヴァイアは、前記上部表面から前記底部表面に向かって、第2のレーザおよび該第2のレーザのレーザ集束スポットによる第2のトレパニング動作を用いて、レーザ穿孔される。

請求項（抜粋）：

積層基板において該基板の上部表面から該基板の底部表面に向かって、第1のレーザおよび該第1のレーザのレーザ集束スポットによる第1のトレパニング(trepanning)動作を用いて、ブラインドヴァィアをレーザ穿孔する段階、および 前記積層基板において前記上部表面から前記底部表面に向かって、第2のレーザおよび該第2のレーザのレーザ集束スポットによる第2のトレパニング動作を用いて、前記ヴァイアをレーザ穿孔する段階、 をそなえて成る、積層基板内にブラインドヴァイアを形成する方法。

IPC (8件)：

H01L 23/12 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46 ,  B23K101:38

FI (7件)：

H01L 23/12 N ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 330 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 N ,  H01L 23/52 B ,  H01L 21/90 A