特許
J-GLOBAL ID：200903030214929114
薄膜トランジスタパネル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057207
公開番号（公開出願番号）：特開平7-270819
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】補助容量の容量値を充分大きく確保することができるとともに、表示部の開口率を高めて明るい画像を良好なコントラストで表示することが可能な薄膜トランジスタパネルを提供する。【構成】 透明基板2の表面の上に、画素電極19と、その能動素子である薄膜トランジスタ4と、前記画素電極19の端部に対向して配置し、その対向間で補助容量Cを構成する容量電極17とを設けた薄膜トランジスタパネルにおいて、前記基板2の表面に凹部2aを形成し、前記容量電極17の少なくとも一部を前記凹部2aの側面を含む内面に配置させ、かつ前記画素電極19の端部の少なくとも一部を前記凹部2aの内面に配置する部分の容量電極17に対向させる。
請求項（抜粋）：
透明基板の表面の上に、画素電極と、その能動素子である薄膜トランジスタと、前記画素電極の端部に対向して配置し、その対向間で補助容量を構成する容量電極とを設けた薄膜トランジスタパネルにおいて、前記基板の表面に凹部を形成し、前記容量電極の少なくとも一部を前記凹部の側面を含む内面に配置させ、かつ前記画素電極の端部の少なくとも一部を前記凹部の内面に配置する部分の容量電極に対向させたことを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
