特許
J-GLOBAL ID：200903030218319175
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255167
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094964
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 p+拡散層領域と、BPSG膜と、p+ポリサイド配線とを具備する半導体装置において、BPSG膜の熱処理を行ってもコンタクト抵抗が増加しない製造方法を提供する。【構成】 第1のBPSG膜5を堆積し、熱処理を行うことで第1のBPSG膜5のフローを行った後、全面にボロンおよびリンの第1の拡散防止膜7を形成する工程と、コンタクトホール6を開口し、全面にボロンおよびリンの第2の拡散防止膜8を形成した後、全面を異方性のエッチングを行うことで、コンタクトホール6の底部の第2の拡散防止膜8を除去する工程と、その後、p+ポリサイド配線9,10を形成する工程とを備える。【効果】 拡散防止膜が存在するので、BPSG膜の熱処理を行っても、BPSG膜中のボロン又はリンがp+ポリサイド配線中に拡散しない。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたp+拡散層領域と、前記p+拡散層上に第1のBPSG膜と、この第1のBPSG膜に開口されたコンタクトホールと、前記p+拡散層領域と電気的に接続するための配線として形成されたp+ポリサイド配線とを具備する半導体装置の製造方法において、前記第1のBPSG膜を堆積し、熱処理を行うことで第1のBPSG膜のフローを行った後、全面にボロンおよびリンの第1の拡散防止膜を形成する工程と、その後、前記コンタクトホールを開口し、全面にボロンおよびリンの第2の拡散防止膜を形成した後、全面を異方性のエッチングを行うことで、前記コンタクトホールの底部のボロンおよびリンの第2の拡散防止膜を除去する工程と、その後、前記p+ポリサイド配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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