特許

J-GLOBAL ID：200903030223307711

マスクパターンの欠陥修正方法

発明者： 木下 博
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 中村 静男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331251
公開番号（公開出願番号）：特開平7-191450
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 基板の損傷或いは光透過部の透過率の低下を与えることなく、精度良くマスクパターンの修正を行うことができる方法を提供する。【構成】 透明基板上に薄膜からなるマスクパターンを有する露光用マスクの、前記マスクパターンに隣接して余剰に存在する黒欠陥部分を除去するマスクパターンの欠陥修正方法において、前記黒欠陥部分に隣接するマスクパターンの領域に、熱伝導防止用の溝を設ける第1の工程、前記黒欠陥部分およびこれと前記溝とによって画定されるマスクパターンの領域にレーザ光を照射して、前記黒欠陥部分および前記マスクパターンの領域を熱蒸発させることにより除去する第2の工程、およびマスクパターンの欠落部分に膜材料を供給しながら、イオンビームを照射して前記膜材料またはその反応物からなる膜を形成する第3の工程、を含むことを特徴とするマスクパターンの欠陥修正方法。

請求項（抜粋）：

透明基板上に薄膜からなるマスクパターンを有する露光用マスクの、前記マスクパターンに隣接して余剰に存在する黒欠陥部分を除去するマスクパターンの欠陥修正方法において、前記黒欠陥部分に隣接するマスクパターンの領域に、熱伝導防止用の溝を設ける第1の工程、前記黒欠陥部分およびこれと前記溝とによって画定されるマスクパターンの領域にレーザ光を照射して、前記黒欠陥部分および前記マスクパターンの領域を熱蒸発させることにより除去する第2の工程、およびマスクパターンの欠落部分に膜材料を供給しながら、イオンビームを照射して前記膜材料またはその反応物からなる膜を形成する第3の工程、を含むことを特徴とするマスクパターンの欠陥修正方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 ,  B23K 26/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/00

FI (2件)：

H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 551

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭60-074622
  
• レチクル・マスクの欠陥修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116580   出願人：富士通株式会社
• 凸欠陥部修正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-193813   出願人：大日本印刷株式会社, 三菱電機株式会社