特許
J-GLOBAL ID：200903030225002950
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-156141
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069400
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 プロセスガスの一部は活性種が未反応のまま再結合するなどしてCXFY、CXFYOZ等のフロロカーボン系の重合体等が不揮発性の反応生成物として生成し、これらが処理室内の天面及び底面と側壁とで形成される隅角部に付着して堆積し、この堆積物がパーティクルの原因になる。【解決手段】 本プラズマ処理装置は、処理室1内の上部電極2には高周波電力を印加すると共に下部電極3には低周波電力を印加して処理室1内でプラズマを発生させ、処理室1内の下部電極3上に配置された半導体ウェハWにプラズマ処理を施す装置で、上記処理室1内で半導体ウェハW以外の固体表面により形成される偶角部(湾曲表面22A、23A、24A、25A)とそれ以外の部分(処理室1の内周面、天面、底面等)は、それぞれの表面とプラズマP間のシースSの厚さがいずれにおいても略均一(シースSのいずれにおいても電界強度が略均一)になる表面形状として形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
処理室内でプラズマ発生手段によりプラズマを発生させ、その処理室内に配置された被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記処理室内の被処理体以外の固体表面は、その表面と上記プラズマ間に形成されたシース厚がいずれにおいても略均一になる表面形状として形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H05H 1/46 M
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 C
