特許
J-GLOBAL ID：200903030229904452
薄膜トランジスター集積装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武田 元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275616
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128683
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 面内スイッチング型液晶表示装置に適応する薄膜トランジスター集積装置の構成を与え、広視野角化と、製造原価低減と、製造歩留まりの向上を図る。【構成】 基板10上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置であって、隣接するゲートライン1間に対向電極ライン4を有し、前記対向電極ライン4をゲートライン1と同一材料で同時にパターン化した構成をとるか、あるいは隣接するゲートラインを対向電極ラインとしても兼用する構成をとり、液晶7への電界印加はTFT8のソース・ドレイン側電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインか、あるいはゲートレベルの対向電極ラインにコンタクトホールを介して直接電気的接触をとるか、容量結合させたソース・ドレインレベルの対向電極との間で行う構成をとる。また、隣接するゲートラインと隣接する信号ラインとで囲まれた1つの画素内で櫛形電極配置により、複数の副画素を構成し、前記櫛形電極の間隔が各副画素ごとに同一でない構成をとる。
請求項（抜粋）：
基板上に配置した電極間に電圧を印加し、基板面にほぼ水平方向に電界を発生させ、液晶分子を面内駆動する液晶表示装置に用いる薄膜トランジスター集積装置において、隣接するゲートライン間に対向電極ラインを有し、前記対向電極ラインを前記ゲートラインと同一材料で同時にパターン化した構成を有し、液晶への電界印加はトランジスターのソース・ドレイン側電極と前記ゲートレベルの対向電極ラインとで行うことを特徴とする薄膜トランジスター集積装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
