特許
J-GLOBAL ID：200903030230702227
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-023933
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219514
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 抵抗値がほぼ均一でかつ低抵抗のシリサイド膜を形成する。【解決手段】 第1工程にてシリコン系材料からなる基体10表面に還元性を有する金属からなる還元金属膜1を形成し、第2工程にて還元金属膜1を除去する。次いで第3工程にて、基体10表面にシリサイド膜3を形成するためのシリサイド用金属膜2を形成し、第4工程にて熱処理により、基体10とシリサイド用金属膜2とをシリサイド化反応させてシリサイド膜3を得る。そして上記第2工程から第3工程までの間を連続して、非酸化性でありかつ非窒化性である雰囲気とする。
請求項（抜粋）：
シリコン系材料からなる基体表面にシリサイド膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記基体表面に還元性を有する金属からなる還元金属膜を形成する第1工程と、前記還元金属膜を除去する第2工程と、前記基体表面に前記シリサイド膜を形成するためのシリサイド用金属膜を形成する第3工程と、熱処理によって、前記基体と前記シリサイド用金属膜とをシリサイド化反応させて前記シリサイド膜を得る第4工程とを備え、前記第2工程から前記第3工程までの間が連続して非酸化性でありかつ非窒化性である雰囲気であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/28 301 D
