特許
J-GLOBAL ID：200903030239290550
シリコンウェハのエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014263
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206099
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェハ上にアルミ電極、金バンプ等のパターンが形成されたシリコンウェハをエッチングすることが可能とする。【構成】 半導体圧力センサーなどの製造におけるシリコンウェハのエッチングにおいて、パターン面にホウケイ酸ガラスを陽極接合して保護することで電極パターンがエッチング液に侵されずにシリコンウェハをエッチングする。
請求項（抜粋）：
半導体圧力センサーなどの製造におけるシリコンウェハのエッチング方法において、金属電極等が配線されているパターン面を保護するために、前記金属電極等が配線されているパターン部が、保護するために接合されたホウケイ酸ガラスと接触し接合されないようにするため、電極等パターンの形成前にあらかじめ前記パターン部となるところのホウケイ酸ガラスをエッチングしたのち、パターン面にホウケイ酸ガラスを陽極接合し、前記金属電極等を保護することを特徴とするシリコンウェハのエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, C23C 2/02
, H01L 21/316
